半導体受光素子、半導体受光装置および半導体装置

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996244464
Publication number (International publication number)：1998090540
Application date： Sep. 17, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】他の導波路型光デバイスとの整合性が良く、容易に光軸調整ができ、かつ低バイアス電圧で高い受光感度を有する端面入射型の半導体受光素子を提供する。【解決手段】屈折率na、厚さWaを有する光吸収層18が屈折率nb1、厚さWb1の上部第2コア層17ならびに屈折率nb2、厚さWb2の下部第2コア層19に挟まれており、さらに屈折率nc1の上部クラッド層16と屈折率nc2の下部クラッド層20で挟み、それらの屈折率がnc1、nc2<nb1、nb2<naの関係を有する端面入射型の導波路型受光素子において、入射光11のスポット半径Wfと光吸収層18の膜厚Wa、上部第2コア層17の膜厚Wb1、下部第2コア層19の膜厚Wb2との間に0.4≦(Wa+Wb1+Wb2)/(2×Wf)≦0.7の関係が、または0.3≦Wa/(Wa+Wb1+Wb2)≦0.5の関係を有する。

Claim (excerpt)：

屈折率na、厚さWaを有する光吸収層が屈折率nb1、厚さWb1の上部第2コア層ならびに屈折率nb2、厚さWb2の下部第2コア層に挟まれており、さらに上記半導体層を屈折率nc1の上部クラッド層と屈折率nc2の下部クラッド層で挟み、それらの屈折率がnc1、nc2<nb1、nb2<naの関係を有する端面入射型の導波路型受光素子において、入射光のスポット半径Wfと光吸収層の膜厚Wa、上部第2コア層の膜厚Wb1、下部第2コア層の膜厚Wb2との間に0.4≦(Wa+Wb1+Wb2)/(2×Wf)≦0.7の関係があることを特徴とする導波路型半導体受光素子。

IPC (3)：

G02B 6/122 , G02B 6/42 , H01L 31/0232

FI (3)：

G02B 6/12 B , G02B 6/42 , H01L 31/02 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体導波路型受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-155431 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体受光素子および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-170710 Applicant：株式会社日立製作所
光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-058289 Applicant：富士通株式会社

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