低抵抗SiC単結晶の育成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997267452
Publication number (International publication number)：1999106297
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 20, 1999
Summary：

【要約】【課題】低抵抗のSiC単結晶を高い歩留まりで育成する方法を提供する。【解決手段】 SiC単結晶からなる種結晶とSiC原料粉末を黒鉛製の坩堝内に配置し、前記原料粉末を加熱昇華させ、前記原料温度よりも低い温度に保った種結晶上に再結晶化させる方法において、雰囲気ガスとして窒素ガスを使用し、前記種結晶として{11-20}面から[0001]方向への傾き角αが-30°≦α≦+30°の範囲にありかつ[0001]軸の回りの回転角βが-10°≦β≦+10°の範囲にある結晶面基板を用いる。

Claim (excerpt)：

SiC単結晶からなる種結晶とSiC原料粉末を黒鉛製の坩堝内に配置し、前記原料粉末を加熱昇華させ、前記原料温度よりも低い温度に保った種結晶上に再結晶化させる方法において、雰囲気ガスとして窒素ガスを使用し、前記種結晶として{11-20}面から[0001]方向への傾き角αが-30°≦α≦+30°の範囲にありかつ[0001]軸の回りの回転角βが-10°≦β≦+10°の範囲にある結晶面基板を用いることを特徴とするSiC単結晶育成方法。

IPC (4)：

C30B 29/36 , C30B 23/00 , C30B 27/00 , H01L 21/203

FI (4)：

C30B 29/36 A , C30B 23/00 , C30B 27/00 , H01L 21/203 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

SiC単結晶およびその成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-098148 Applicant：新日本製鐵株式会社
低抵抗単結晶炭化珪素の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-232966 Applicant：新日本製鐵株式会社
半導体単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-018272 Applicant：株式会社東芝

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