プラズマ密度情報測定方法及びその装置並びにプラズマ密度情報測定用プローブ、プラズマ発生方法及びその装置、プラズマ処理方法及びその装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：杉谷勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000226867
Publication number (International publication number)：2002043093
Application date： Jul. 27, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 10MHzから500MHzまでの低周波領域で読み取れるようなプラズマ密度情報を測定して、測定されたプラズマ密度情報に基づいてプラズマ処理を行う。【解決手段】測定プローブ8のアンテナ及び平板は、誘電体製外皮によって直接に被覆されているので、電子密度が高密度でも、プラズマ吸収周波数を10MHzから500MHzまでの低周波領域で測定することができる。また、プラズマ吸収周波数といったプラズマ密度情報に基づいて、生成用電力操作部11や処理用電力操作部13等を操作してプラズマ処理を行うことができる。

Claim (excerpt)：

プラズマの特性を示すプラズマ密度情報を測定するプラズマ密度情報測定方法であって、プラズマ密度情報を測定するためのプラズマ密度情報測定用電源からプラズマ密度情報測定用電力をプラズマに供給するとともに、プラズマ密度情報測定用電源の周波数が10MHzから500MHzまでの周波数領域において、プラズマ負荷による前記プラズマ密度情報測定用電力の反射または吸収に基づいてプラズマ密度情報を測定するプラズマ密度情報測定過程を備えることを特徴とするプラズマ密度情報測定方法。

IPC (3)：

H05H 1/00 , C23C 16/52 , H01L 21/205

FI (3)：

H05H 1/00 A , C23C 16/52 , H01L 21/205

F-Term (16)：

4K030FA01 , 4K030FA03 , 4K030HA16 , 4K030HA17 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030KA30 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 5F045AA08 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EH02 , 5F045EH12 , 5F045EH20 , 5F045GB08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

プラズマ生成用高周波パワ-の制御方法、およびプラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-058635 Applicant：名古屋大学長, 株式会社ニッシン
プラズマ診断装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-058682 Applicant：三菱重工業株式会社
プラズマ測定用プローブ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-262447 Applicant：国際電気株式会社

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