プラズマ生成用高周波パワ-の制御方法、およびプラズマ発生装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：杉谷勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999058635
Publication number (International publication number)：2000100598
Application date： Mar. 05, 1999
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】プラズマ密度を長期間にわたって適切かつ容易にコントロールする。【解決手段】本発明では、誘電体製のチューブを介してプラズマPMへ供給される測定用高周波パワーの吸収現象を測定原理とする長寿命・熱フィラメントレス方式のプラズマ密度情報求出部11をプラズマ生成用の高周波パワーの供給系とは別に設けている。プラズマ密度情報求出部11で刻々モニタされる実測プラズマ密度とプラズマ密度設定部10bに保持されている目標プラズマ密度との比較結果に基づいてインピーダンス整合器10aを変化させ、電源側とプラズマ側との間のインピーダンス整合状態を調整することにより、高周波電源8から出力される生成用高周波パワーを適切に制御する構成であるので、プラズマ密度を長期間継続して適切かつ容易にコントロールすることが可能となる。

Claim (excerpt)：

プラズマにプラズマ密度情報計測用の高周波パワー(高周波電力)を供給するとともに、プラズマ負荷による前記高周波パワーの反射または吸収状況を示すパラメータの量的測定を行って、前記パラメータの測定結果に従いプラズマ密度情報を求出し、得られたプラズマ密度情報に基づきプラズマ生成用の高周波パワー(高周波電力)を制御することを特徴とするプラズマ生成用高周波パワーの制御方法。

IPC (4)：

H05H 1/46 , C23C 16/52 , H01L 21/3065 , H05H 1/00

FI (5)：

H05H 1/46 A , H05H 1/46 L , C23C 16/52 , H05H 1/00 A , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電子密度の測定方法及びその装置及び電子密度の制御装置及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-212636 Applicant：富士通株式会社
特開平4-256845
特開昭55-156844

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