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J-GLOBAL ID：200903096471849459

量子井戸レーザおよびその作製方法

Inventor： 山田 武 ,  伊賀 龍三 ,  杉浦 英雄
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992064796
Publication number (International publication number)：1993267777
Application date： Mar. 23, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】量子井戸層の設計が自由な歪量子井戸レーザとその作製方法を提供する。【構成】量子井戸に、基板の格子定数に合った格子定数の第1の材料2と、該第1の材料2よりエネルギーギャップが小さく、かつ基板の格子定数と異なる第2の材料3との積層構造を備える。【効果】本発明の量子井戸構造をレーザに用いれば高性能のレーザを容易に得ることができ、また本発明の成長方法を用いれば、成長界面の数をふやすことなく容易に量子井戸構造を作製することができる。また将来の変調器や各種光素子への応用が期待できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の活性層に量子井戸の構成を備える量子井戸レーザにおいて、上記量子井戸は、基板の格子定数に合った格子定数の第1の材料と、該第1の材料よりエネルギーギャップが小さく、かつ基板の格子定数と異なる格子定数を有する第2の材料との積層構造を備えることを特徴とする量子井戸レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-049689
  
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-061772   Applicant：株式会社日立製作所
• 歪量子井戸半導体レーザ素子および歪量子井戸構造の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-181878   Applicant：光技術研究開発株式会社, 古河電気工業株式会社