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J-GLOBAL ID：200903012562694076

スパッタリングターゲット

Inventor： 渡邊 光一 ,  鈴木 幸伸 ,  藤岡 直美 ,  石上 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002115648
Publication number (International publication number)：2003306766
Application date： Apr. 18, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 Nbスパッタリングターゲットを用いたスパッタ成膜工程において、ターゲットの使用初期からライフエンドまで成膜速度を安定化させることによって、例えば反射防止膜の形成工程における膜厚のばらつきの発生を抑制する。【解決手段】 スパッタリングターゲットはNb材からなる。このようなNbターゲットはスパッタ面における(110)面の結晶方位比率が40%以上であると共に、(200)面の結晶方位比率が30%以下とされている。さらに、スパッタ面全体としての(110)面の結晶方位比率のばらつきが30%以下であると共に、(200)面の結晶方位比率のばらつきが50%以下とされている。

Claim (excerpt)：

Nb材からなるスパッタリングターゲットであって、前記ターゲットのスパッタ面における(110)面の結晶方位比率が40%以上であると共に、(200)面の結晶方位比率が30%以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C22C 27/02 102

FI (2)：

C23C 14/34 A ,  C22C 27/02 102 Z

F-Term (6)：

4K029BA43 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 光学部品及びその製造方法並びに光学部品の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-294405   Applicant：ソニー株式会社
• 高純度銅スパッタリングタ-ゲットおよび薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-157331   Applicant：株式会社ジャパンエナジー
• スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-369001   Applicant：株式会社東芝