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J-GLOBAL ID：200903069435933098

高純度銅スパッタリングタ-ゲットおよび薄膜

Inventor： 高橋 一成 ,  叶野 治
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 藤吉 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997157331
Publication number (International publication number)：1998330923
Application date： Jun. 02, 1997
Publication date： Dec. 15, 1998
Summary：

【要約】【目的】 高速演算素子に必要不可欠な低い電気抵抗をもち、さらには膜厚均一性に優れた配線膜を形成することが可能であるスパッタリング用銅ターゲットおよび銅薄膜を提供する。【構成】 NaおよびK含有量がそれぞれ0.1ppm以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca,Mg含有量がそれぞれ1ppm以下、炭素および酸素含有量がそれぞれ5ppm以下、UおよびTh含有量がそれぞれ1ppb以下、ガス成分を除いた銅の含有量が99.999%以上であることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット。さらに、スパッタ面における平均粒径が250μm以下で、場所による平均粒径のばらつきが±20%以内、X線回折強度比I(111)/I(200)がスパッタ面において2.4以上でそのばらつきが±20%以内であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

高純度銅スパッタリングターゲットにおいて、NaおよびK含有量がそれぞれ0.1ppm 以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca,Mg 含有量がそれぞれ1ppm 以下、炭素および酸素含有量がそれぞれ5ppm 以下、U および Th含有量がそれぞれ1ppb以下、ガス成分を除いた銅の含有量が99.999%以上であることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• スパッタリングターゲット及びその製造方法ならびに半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-216350   Applicant：同和鉱業株式会社
• 高純度銅単結晶及びその製造方法並びにその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181360   Applicant：同和鉱業株式会社
• 単結晶銅ターゲットおよびその製造法とそれを用いた半導体内部配線
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181361   Applicant：同和鉱業株式会社
• 結晶方位の制御されたFCC金属及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-358174   Applicant：同和鉱業株式会社