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J-GLOBAL ID：200903012592744540

スピンバルブ型薄膜素子

Inventor：
長谷川 直也

About 長谷川 直也


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997251797
Publication number (International publication number)：1999097763
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 スピンバルブ型薄膜素子では、ABS面以外の面が絶縁膜に覆われているので、前記スピンバルブ型薄膜素子には、ハイト方向に引っ張り応力が作用しており、このような状態で、フリー磁性層の磁歪が正の値であると、逆磁歪効果により、前記フリー磁性層の磁化がハイト方向に誘起されてしまい、アシンメトリーが悪化するといった問題が生じていた。【解決手段】 フリー磁性層4の飽和磁歪定数λsが、-2≦10-6≦λs≦0、より好ましくは-1×10-6≦λs≦0の範囲内にされているので、前記フリー磁性層4に図示Y方向(ハイト方向)の引っ張り応力が作用しても、逆磁歪効果により、前記フリー磁性層4の磁化を図示X方向(トラック幅方向)に誘起させることができる。これにより、フリー磁性層4の磁化反転は良好になり、アシンメトリーを零に近づける(良好にする)ことが可能となる。
Claim (excerpt)：
反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とを有し、さらに前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス層と、固定磁性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出電流を与える導電層とが設けられて成るスピンバルブ型薄膜素子において、前記フリー磁性層の飽和磁歪定数λsは、-2×10-6≦λs≦0であることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
IPC (3)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26
FI (3)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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