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J-GLOBAL ID:200903061703785608

磁気抵抗効果素子用多層薄膜材料および磁性層の磁化の調整方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996003380
Publication number (International publication number):1996264861
Application date: Jan. 11, 1996
Publication date: Oct. 11, 1996
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、従来構造では得られなかった10〜20%ものMR比を得ることができると同時に、耐食性、耐環境性の面で問題があった反強磁性材料を用いる必要が無く、しかも、回転磁場成膜の必要がなく、高価な製造設備も不用とすることができる磁性層の磁化の調整方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、飽和磁歪定数の符号が正の強磁性金属ないしは強磁性合金からなる強磁性層32と飽和磁歪定数の符号が負の強磁性金属ないしは強磁性合金からなる強磁性層34が、非磁性層33を介して交互に1組以上積層さて積層体35が形成され、この積層体35に、一軸性の応力が印加されてなるものである。
Claim (excerpt):
飽和磁歪定数の符号が正の強磁性金属ないしは強磁性合金からなる強磁性層と飽和磁歪定数の符号が負の強磁性金属ないしは強磁性合金からなる強磁性層が、非磁性層を介し交互に1組以上積層されて積層体が形成され、この積層体に、一軸性の応力が印加されてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子用多層薄膜材料。
IPC (6):
H01L 43/08 ,  G01D 5/18 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/10
FI (6):
H01L 43/08 Z ,  G01D 5/18 L ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/06 R
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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