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J-GLOBAL ID：200903012635412163

半導体用絶縁樹脂ペースト

Inventor： 伊藤 慎吾 ,  大久保 光 ,  竹田 敏郎
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996271117
Publication number (International publication number)：1998120873
Application date： Oct. 14, 1996
Publication date： May. 12, 1998
Summary：

【要約】【課題】 IC等の大型チップと銅フレームとの組み合わせでもチップクラックやチップの反りによるIC等の特性不良が生じず、かつ薄型パッケージでのヒートサイクルクラックが発生しない高信頼性の絶縁樹脂ペーストを提供する。【解決手段】 全エポキシ樹脂量中に低鎖長シロキサンユニットを含むエポキシ樹脂とビスフェノールFとのモル比が1〜3で反応してなる生成物を30重量%以上含み、エポキシ基を含有する分子量800以上の液状ポリブタジエンゴムが全樹脂中に10〜30重量%含まれており、イミダゾール化合物、シリカフィラーからなる半導体用絶縁樹脂ペースト。

Claim (excerpt)：

(A)全エポキシ樹脂量中に、下記式(1)で示されるエポキシ樹脂aモルとビスフェノールF、bモルとをa/b=1〜3で反応してなる生成物を30重量%以上含むエポキシ樹脂、【化1】(式中、R1,R2は2価の炭素数1〜5の脂肪族基、又は炭素数6以上の芳香族から2個の水素を除いた残基を示し、互いに同じであってもよい)(B)エポキシ基を含有する分子量800以上、2000以下の液状ポリブタジエン化合物、(C)イミダゾール化合物、(D)シリカフィラー、を必須成分とし、(B)/[(A)+(B)+(C)](重量比)が0.1〜0.3であることを特徴とする半導体用絶縁樹脂ペースト。

IPC (7)：

C08L 63/00 ,  C08G 59/50 ,  C08K 3/36 ,  C08L 63/08 ,  C09J163/00 ,  C08G 59/14 ,  C08G 59/30

FI (7)：

C08L 63/00 A ,  C08G 59/50 ,  C08K 3/36 ,  C08L 63/08 ,  C09J163/00 ,  C08G 59/14 ,  C08G 59/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ダイボンディング材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-266190   Applicant：住友ベークライト株式会社
• ダイボンディング材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-160646   Applicant：住友ベークライト株式会社
• 特開昭63-161015