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J-GLOBAL ID：200903012671787661

強誘電体薄膜の形成方法、薄膜形成用塗布液

Inventor： 小岩 一郎 ,  金原 隆雄 ,  見田 充郎 ,  古山 晃一
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社 ,  株式会社豊島製作所
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996013048
Publication number (International publication number)：1997208226
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 従来に比べ低い本焼成温度でも強誘電性を示すSrBiTaO系の薄膜を湿式法により形成する。【解決手段】 Srエトキシエトキシド、BinブトキシドおよびTaエトキシドを、メトキシプロパノールとエチルアルコールとの混合溶液に加える。この溶液を下地上にスピナーにより塗布する。この塗膜に対し350°Cの温度で所定時間保持し、その後460°Cの温度で所定時間保持するという加熱条件で仮焼成を行なう。次に、700°Cの温度で本焼成を行なって薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

成分元素としてSr(ストロンチウム)を含む強誘電体薄膜を湿式法により形成するに当たり、塗布液として、Srにアルコキシアルコキシ基が結合しているSrアルコキシドを含む塗布液を用いることを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (7)：

C01G 35/00 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

C01G 35/00 C ,  H01B 3/00 F ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 強誘電体薄膜キャパシタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-153197   Applicant：日本電気株式会社
• 複合酸化物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-183724   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-215320
  
• DRAM用キャパシタセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-129609   Applicant：株式会社リコー

Cited by examiner (4)

• 強誘電体薄膜キャパシタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-153197   Applicant：日本電気株式会社
• 複合酸化物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-183724   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-215320
  
• DRAM用キャパシタセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-129609   Applicant：株式会社リコー