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J-GLOBAL ID：200903012687493064

半導体メモリ装置の感知増幅器回路

Inventor： 李 東 祐 ,  任 興 洙
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000269303
Publication number (International publication number)：2001101885
Application date： Sep. 05, 2000
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 オン/オフセル感知マージンが保証される半導体メモリ装置の感知増幅器回路を提供すること。【解決手段】 オンセル電流Ionを流すただ一つのトランジスタでダミーメモリセルトランジスタDMCを実現するとともに、同一の特性及びサイズを有する2個のダミーロードトランジスタMP10,MP12を用いてオンセル電流に相応する電流をダミーデータラインDDLに供給し、かつ前記ダミーロードトランジスタMP10,MP12にカレントミラー形態でメインロードトランジスタMP14を接続し、オンセル電流の中間値を有する電流がメインロードトランジスタMP14からデータラインDLへ供給されるようにする。

Claim (excerpt)：

メモリセルのロージック状態を判別するための感知増幅器回路において、前記メモリセルに連結された第1データラインと、ダミーメモリセルに連結された第2データラインと、前記第1データラインに連結され、前記第1データラインへ第1充電電流を供給する第1ロード手段と、前記第2データラインに連結され、前記第2データラインへ前記第1充電電流の2倍に相当する量の第2充電電流を供給する第2ロード手段とを含むことを特徴とする半導体メモリ装置の感知増幅器回路。

IPC (2)：

G11C 16/06 ,  G11C 17/18

FI (2)：

G11C 17/00 634 E ,  G11C 17/00 306 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• EPROMセル読み取り回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-346044   Applicant：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセエッレエーレ
• 特開昭62-140298
  
• 半導体メモリ用センスアンプ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-216140   Applicant：日本電装株式会社
• 特開平3-022294
  
• センス回路を有する読み出し出力回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-002114   Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社