半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅野中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997036479
Publication number (International publication number)：1998233449
Application date： Feb. 20, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】配線幅とスルーホール径が同等の多層配線を形成する場合に、スルーホールとエアギャップがつながりリークが発生するのを防ぐ。【解決手段】第1の配線3上に第1の絶縁膜5を成長させ平坦化し、絶縁膜5のスルーホール内にバリアメタル3及び埋設メタル1を埋設する。次に第1の絶縁膜5を第1の配線3の側面が露出するまでエッチングする。次に、バリアメタル1、バリアメタル2を含む第1の配線3の厚さ、または前記配線の厚さとスルーホール部の埋設メタルの厚さを足した厚さよりも狭い寸法の第1の配線3間に、エアギャップ9が形成されるような条件で第2の絶縁膜8を成長させる。これにより、スルーホールとエアギャップがつながらず、しかも隣接する配線間のリーク、容量の増大を防止することができる。

Claim (excerpt)：

スルーホール形成工程と、埋設工程と、除去工程と、絶縁膜形成工程と、配線工程とを含み、配線幅とスルーホール径がほぼ等しい多層配線を有する半導体装置の製造方法であって、スルーホール形成工程は、半導体基板上の配線を覆う第1の絶縁膜にスルーホールを形成する処理であり、埋設工程は、前記開口されたスルーホール内に高融点金属を埋設する処理であり、除去工程は、前記第1の絶縁膜を第1の配線の側面が露出するまでエッチングして除去する処理であり、絶縁膜形成工程は、第1の配線の厚さ以下(アスペクト比1以上)の配線間にエアギャップを形成するように第2の絶縁膜を成長させる処理であり、配線工程は、前記第2の絶縁膜を研磨し平坦化し、第2の絶縁膜上に第2の配線を形成する処理であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3213 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 D , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-030450
特開平2-086146
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-118659 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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