結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998074866
Publication number (International publication number)：1999079889
Application date： Mar. 09, 1998
Publication date： Mar. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】結晶全面に亙って極低欠陥密度であるCZ法によるシリコン単結晶及びウエーハを、高生産性を維持しながら得るとともに、合わせてシリコンウエーハの面内酸素濃度分布をも改善する。【解決手段】 CZ法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、結晶中の固液界面の形状が、周辺5mmを除いて固液界面の平均値に対し±5mm以内となるように引き上げるシリコン単結晶の製造方法、およびCZ法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、結晶中の固液界面近傍の1420°Cから1350°Cの間の温度勾配またはシリコンの融点から1400°Cの間の温度勾配G(温度変化量/結晶軸方向長さ)[°C/cm]の値を、結晶中心部分の温度勾配Gc[°C/cm]と結晶周辺部分の温度勾配Ge[°C/cm]との差△G=(Ge-Gc)で表した時、△Gが5°C/cm以内となるように炉内温度を制御するシリコン単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、結晶中の固液界面の形状が、周辺5mmを除いて固液界面の平均値に対し±5mm以内となるように引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/22 , H01L 21/02 , H01L 21/208

FI (4)：

C30B 29/06 502 H , C30B 15/22 , H01L 21/02 B , H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-016589
シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158458 Applicant：住友シチックス株式会社
特開平2-229786

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