基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002299576
Publication number (International publication number)：2004134674
Application date： Oct. 11, 2002
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】PEB処理におけるレジスト膜への酸への再付着を抑制すること。【解決手段】基板上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜に対してエネルギー線を照射して、潜像を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜に対して加熱処理を行う工程とを含み、前記加熱処理は、前記化学増幅型レジスト膜を加熱する加熱部と前記基板とを相対的に移動させつつ、前記加熱部下面と前記化学増幅型レジスト膜との間に前記加熱部の相対的な移動方向に対して逆方向に流れる気流を形成して行う。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜に対してエネルギー線を照射して、潜像を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜に対して加熱処理を行う工程とを含み、前記加熱処理は、前記化学増幅型レジスト膜を加熱する加熱部と前記基板とを相対的に移動させつつ、前記加熱部下面と前記化学増幅型レジスト膜との間に前記加熱部の相対的な移動方向に対して逆方向に流れる気流を形成して行うことを特徴とする基板処理方法。

IPC (2)：

H01L21/027 , G03F7/38

FI (4)：

H01L21/30 568 , G03F7/38 501 , G03F7/38 511 , H01L21/30 567

F-Term (8)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA01 , 2H096FA01 , 2H096FA03 , 5F046KA02 , 5F046KA04 , 5F046KA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平4-038817
加熱処理装置及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-368267 Applicant：株式会社東芝
電子線直描方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-357784 Applicant：日本電気株式会社

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