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J-GLOBAL ID：200903060781138345

薄膜形成方法

Inventor： 速水 俊一 ,  川合 知二 ,  田畑 仁
Applicant, Patent owner： ミノルタ株式会社
Agent (1)： 森下 武一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217100
Publication number (International publication number)：1997059086
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 配向性が優れている薄膜を基板上に形成する。【解決手段】 レーザアブレーション法を利用してガラス基板16上に薄膜を形成する。すなわち、レーザ光Lを窓部11から成膜室10へ導入し、ターゲット15を照射する。ターゲット15はレーザ光の照射によって成膜材料(中性原子、分子、イオン)を放出し、これらの成膜材料は基板16上に堆積/結晶化して薄膜を形成する。このとき、成膜中において、基板16の温度を変更したり、あるいは成膜速度を変更して成膜条件を異ならせる。

Claim (excerpt)：

レーザアブレーション法によって、ターゲットから放出された成膜材料を基板上に堆積/結晶化して第1の薄膜を形成する第1工程と、前記第1の薄膜上に前記第1工程と異なる条件で第2の薄膜を形成する第2工程と、を備えたことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4)：

C30B 23/00 ,  B01J 19/12 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31

FI (4)：

C30B 23/00 ,  B01J 19/12 G ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/31 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

• 磁気記録媒体及び磁気ヘッド並びにその製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-203336   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-170389
  
• 薄膜積層体と酸化物超電導導体およびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-060188   Applicant：超電導発電関連機器・材料技術研究組合
• 光磁気記録媒体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-060884   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開平4-212214
  
• 酸化物超電導膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203860   Applicant：住友電気工業株式会社, 東京電力株式会社
• 光学薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-307300   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-313523   Applicant：三菱化学株式会社
• 薄膜形成方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-232928   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 特開平4-114430
  
• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-318083   Applicant：ミノルタ株式会社
• 特開平4-170389
  
• 特開平4-212214
  
• 特開平4-114430