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J-GLOBAL ID：200903012879268773

半導体装置の製造方法

Inventor：
福田 琢也

About 福田 琢也


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001380487
Publication number (International publication number)：2003179026
Application date： Dec. 13, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板上に形成される絶縁膜や誘電体膜のリーク電流低減、絶縁耐圧の向上、経時的絶縁破壊の低減を図る。【解決手段】 半導体装置に用いられる絶縁膜や誘電体膜を超臨界状態の二酸化炭素に曝す。超臨界状態の二酸化炭素はこれらの膜の組織内の隅々にまで入り込むため、膜中の水分、電荷、不純物は、入り込んだ二酸化炭素に溶解または取り込まれて除去される。また、絶縁膜や誘電体膜にあらかじめ水分を含有させ、その後、超臨界状態の二酸化炭素に曝して膜を乾燥させる。この場合は、水分が強い極性を有するようになるため、膜中に含有されている電荷や欠陥部あるいは不純物に水が吸着する。次に、この膜を超臨界状態の二酸化炭素に曝すと、電荷や欠陥部あるいは不純物は、吸着された水と共に除去される。
Claim (excerpt)：
半導体基板の主面に素子分離用の溝を形成する工程と、前記溝の内部に絶縁膜を埋め込む工程と、前記絶縁膜を超臨界状態の二酸化炭素に曝す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (12)：
H01L 21/304 651 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78
FI (11)：
H01L 21/304 651 Z ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/08 331 A ,  H01L 21/90 J ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/08 102 H ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 301 R
F-Term (143)：
5F032AA35 ,  5F032AA49 ,  5F032CA17 ,  5F032DA41 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033KK36 ,  5F033LL04 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ86 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033XX00 ,  5F033XX09 ,  5F033XX28 ,  5F048AA04 ,  5F048AA08 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BG02 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27 ,  5F058BA01 ,  5F058BA02 ,  5F058BA05 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ06 ,  5F083AD31 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083AD62 ,  5F083GA02 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA57 ,  5F083JA58 ,  5F083KA20 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40 ,  5F140AA05 ,  5F140AA10 ,  5F140AA19 ,  5F140AA23 ,  5F140AA24 ,  5F140BD11 ,  5F140BG14 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK24 ,  5F140BK25 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC10 ,  5F140CC12 ,  5F140CC16 ,  5F140CE07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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