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J-GLOBAL ID：200903012930754106

絶縁ゲートトランジスタ駆動回路

Inventor： 近井 智 ,  森 治義 ,  小林 知宏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217191
Publication number (International publication number)：1997065644
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 コレクタ電流の遮断動作期間におけるサージ電圧を抑制しながらスイッチング損失を低減することができるIGBT駆動回路を実現する。【解決手段】 コレクタ電流の遮断過程をエミッタ-コレクタ間電圧回復期間とコレクタ電流遮断期間に分け、エミッタ-コレクタ間電圧回復期間にはゲート抵抗を小さくし、コレクタ電流遮断期間にはゲート抵抗を大きくすることによって遮断時間を短縮しスイッチング損失を低減するとともにサージ電圧を抑制する。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲートトランジスタの導通および遮断を制御するゲート信号をゲート抵抗回路を介して前記絶縁ゲートトランジスタのゲートに印加するとともに、前記絶縁ゲートトランジスタの動作状態を検出する動作状態検出手段を具備し、前記コレクタ電流の遮断過程において、前記動作状態検出手段の検出出力に基づいて、前記絶縁ゲートトランジスタの動作パラメータを調整する、動作パラメータ調整手段を有することを特徴とする絶縁ゲートトランジスタ駆動回路。

IPC (2)：

H02M 1/08 351 ,  H02M 7/537

FI (2)：

H02M 1/08 351 Z ,  H02M 7/537 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• IGBTゲート回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-141230   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-266712
  
• MOSゲートトランジスタの駆動回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-314568   Applicant：東芝エフエーシステムエンジニアリング株式会社, 株式会社東芝