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J-GLOBAL ID：200903013067832965
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
小島 隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265052
Publication number (International publication number)：2001146505
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： May. 29, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。(式中、R<SP>1</SP>はH、Cl又はC1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基又は塩素化されたアルキル基である。R<SP>2</SP>は酸不安定基であり、o,p,q,r,s,tは、0≦o<5、0<p≦5、0≦q<5、0<r≦5、0≦s≦5、0≦t≦5の範囲であり、かつ0≦o+q<5、0<s+t≦5、0<o+p+q≦5、0<o+q+r≦5を満足する数であり、k,m,nは、0<k<1、0≦m<1、0≦n<1であり、かつk+m+n=1を満足する数である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、特にF<SB>2</SB>エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は水素原子、塩素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基又は塩素化されたアルキル基である。R<SP>2</SP>は酸不安定基であり、o,p,q,r,s,tは、0≦o<5、0<p≦5、0≦q<5、0<r≦5、0≦s≦5、0≦t≦5の範囲であり、かつ0≦o+q<5、0<s+t≦5、0<o+p+q≦5、0<o+q+r≦5を満足する数であり、k,m,nは、0<k<1、0≦m<1、0≦n<1であり、かつk+m+n=1を満足する数である。)
IPC (5)：
C08F 12/24
, C08K 5/00
, C08L 25/18
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
C08F 12/24
, C08K 5/00
, C08L 25/18
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
