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J-GLOBAL ID：200903076122902619

ポリスチレン系高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料並びにパターン形成方法

Inventor：
渡辺 修

About 渡辺 修

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島田 順次

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名倉 茂広

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武田 隆信

About 武田 隆信


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998299178
Publication number (International publication number)：1999236416
Application date： Oct. 06, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される末端が下記Pである重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】〔RはOH又はOR<SP>3</SP>、R<SP>1</SP>はH又はCH<SB>3</SB>、R<SP>2</SP>はアルキル基、R<SP>3</SP>は酸不安定基、x≧0、y>0、k≧0、m≧0、n>0、0<q≦0.8、p+q=1、PはH、アルキル基、アルケニル基、芳香族炭化水素基、カルボキシル基、OH、-(R<SP>4</SP>)<SB>h</SB>(COR<SP>5</SP>)<SB>r</SB>、-R<SP>4</SP>(OH)<SB>r</SB>又は-R<SP>4</SP>(OR<SP>5</SP>)<SB>r</SB>である。(R<SP>4</SP>は(r+1)価の脂肪族炭化水素基、脂環式飽和炭化水素基又は芳香族炭化水素基を示し、R<SP>5</SP>はアルキル基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基又は水酸基を示す。hは0又は1であり、rは1〜3の正の整数を示す。)〕【効果】 本発明の高分子化合物を化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として用いた場合は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性、再現性にも優れている。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される末端が下記Pである重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】〔(式中、Rは水酸基又はOR<SP>3</SP>基を示し、少なくとも1個は水酸基である。R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基を示し、R<SP>2</SP>は炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R<SP>3</SP>は酸不安定基を示す。また、xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数であり、kは0又は正の整数、mは0又は正の整数、nは正の整数であり、k+m+n≦5を満足する数である。p、qは正数であり、0<q≦0.8、p+q=1を満足する数である。なお、nが2以上の場合、R<SP>3</SP>は互いに同一であっても異なっていてもよい。Δは重量平均分子量を1,000〜500,000とする数である。Pは水素原子、炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、カルボキシル基、水酸基、又は下記一般式(2)、(3)もしくは(4)で示される基であるが、末端の全てが同時に水素原子となることはない。)【化2】(式中、R<SP>4</SP>は(r+1)価の炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基、脂環式飽和炭化水素基又は炭素数6〜50の芳香族炭化水素基を示し、R<SP>5</SP>は炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6〜50の芳香族炭化水素基、炭素数1〜30のアルコキシ基、又は水酸基を示し、R<SP>5a</SP>は炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜50の芳香族炭化水素基を示す。また、hは0又は1であり、rは1〜3の正の整数を示す。)また、上記一般式(1)で示される高分子化合物のRで示されるフェノール性水酸基、上記一般式(2)におけるR<SP>5</SP>の水酸基及び上記一般式(3)における水酸基のいずれか1又は2以上の水酸基は、アルケニルエーテル化合物もしくはハロゲン化アルキルエーテル化合物との反応により得られるC-O-C基を有する架橋基により分子内及び/又は分子間で架橋されていてもよく、上記酸不安定基と架橋基との合計量は式(1)のフェノール性水酸基、上記一般式(2)におけるR<SP>5</SP>の水酸基及び上記一般式(3)における水酸基の水素原子全体の平均0モル%を超え80モル%以下の割合である。〕
IPC (4)：
C08F 12/22 ,  C08F 8/00 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/039 601
FI (4)：
C08F 12/22 ,  C08F 8/00 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/039 601
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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