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J-GLOBAL ID：200903072252065268

高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 西 恒寛 ,  畠山 潤 ,  名倉 茂広 ,  石原 俊信
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 奥山 尚男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998053361
Publication number (International publication number)：1998306120
Application date： Mar. 05, 1998
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ベース樹脂としてレジスト材料に配合した場合、高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れた化学レジスト材料を与える高分子化合物及び該高分子化合物をベース樹脂として使用した化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】 分子内に少なくとも1個以上の水酸基及び/又はカルボキシル基を有しその水酸基及び/又はカルボキシル基の水素原子の一部又は全部が一般式(1)で示される基により置換されている重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物をベース樹脂として用い、これに酸発生剤、溶解制御剤、塩基性化合物、≡C-COOHで示される基を有する芳香族化合物を配合した化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】

Claim (excerpt)：

分子内に少なくとも1個の水酸基及び/又はカルボキシル基を有し、その水酸基の水素原子及び/又はカルボキシル基の水素原子の一部又は全部が下記一般式(1)で示される基により置換されていることを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(上式中、R1 、R2 は、水素原子、又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状、若しくは環状のアルキル基を示す。R3 は、炭素数1〜18のヘテロ原子を有してもよいn+1価の炭化水素基を示す。R1 とR2 、R1 とR3 、R2 とR3 、又はR1 とR2 とR3 とは環を形成していてもよく、環を形成する場合、R1 、R2 は、2価又は3価の炭素数1〜6の炭化水素基、R3 は、n+2価又はn+3価の炭素数1〜18のヘテロ原子を有してもよい炭化水素基を示す。R4 は、炭素数1〜18のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示す。nは、1〜6の整数である。)

IPC (8)：

C08F 12/08 ,  C08F 10/02 ,  C08F 20/04 ,  C08F 20/10 ,  C08F 20/42 ,  C08F 22/30 ,  C08F299/00 ,  G03F 7/039 601

FI (8)：

C08F 12/08 ,  C08F 10/02 ,  C08F 20/04 ,  C08F 20/10 ,  C08F 20/42 ,  C08F 22/30 ,  C08F299/00 ,  G03F 7/039 601

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-025369   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-090203   Applicant：信越化学工業株式会社
• 酸に不安定な保護基を有するフェノール樹脂
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-006982   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド