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J-GLOBAL ID：200903013122104621

半導体装置

Inventor： 前田 就彦 ,  小林 直樹 ,  西田 敏夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998056529
Publication number (International publication number)：1999261051
Application date： Mar. 09, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】Al<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N/GaNよりなる組成のヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、チャネルに誘起可能な2次元電子濃度を増大させることを意図して行うAl<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N障壁層のAl組成Xの増大に際して、発現する電子移動度の著しい低下を阻止あるいは大幅に低減し、電子濃度と電子移動度との積を増大させることによってデバイスの高性能化・高出力化を行うことが可能な高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】基板上に作製したAl<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N/GaN(ただし、0<X≦1)よりなる組成のヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、基板表面側に形成されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N障壁層の膜厚を格子緩和が生じない範囲となし、かつ、上記障壁層の基板に垂直な方向のAl組成を、該障壁層の一部もしくは全部において、連続状もしくは階段状にAl組成を変調させた領域を設ける。

Claim (excerpt)：

基板上に作製したAl<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N/GaN(ただし、0<X≦1)よりなる組成のヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、基板表面側に形成されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N障壁層の膜厚を格子緩和が生じない範囲となし、かつ、上記障壁層の基板に垂直な方向のAl組成を、該障壁層の一部もしくは全部において、連続状もしくは階段状にAl組成を変調させた領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭59-004085
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-092622   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭64-090565
  
• 化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-232666   Applicant：富士通株式会社, 富士通カンタムデバイス株式会社
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-104609   Applicant：ソニー株式会社
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-142221   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭59-004085
  
• 特開昭64-090565