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J-GLOBAL ID：200903013190440605

窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード

Inventor： 山崎 史郎 ,  小出 典克 ,  真部 勝英 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  新技術事業団 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995112330
Publication number (International publication number)：1996153933
Application date： Apr. 12, 1995
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 レーザの発振しきい値電流を低下させること。【構成】活性層5をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層4,6で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1) から成るレーザダイオードにおいて、活性層5を、Mgが添加された後電子線又はレーザの照射又は窒素ガスのプラズマ中での熱処理によりp型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y ≦1)で形成した。この結果、活性層のバンド間発光効率を高めることができたため、発振しきい値電流が低下した。

Claim (excerpt)：

活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0 ≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、前記活性層を、Mgが添加されたp型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y ≦1)で形成したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-310533   Applicant：日亜化学工業株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-357046   Applicant：日亜化学工業株式会社