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J-GLOBAL ID：200903013253591021

マルチパスレーザ逆コンプトン散乱光発生器

Inventor：
豊川 弘之

About 豊川 弘之

, 
大垣 英明

About 大垣 英明


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001032273
Publication number (International publication number)：2002237642
Application date： Feb. 08, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：
【要約】【課題】 大掛かりな装置や複雑な調整を必要とすることなく、また、レーザの動作が連続、パルスの如何を問わず簡便にレーザ逆コンプトン光の収量を増大させる。【解決手段】 マルチパスセルには、偏向電磁石11を用いて電子ビームを導入させ、マルチパスセルの上記二枚の凹面鏡8、9は、その曲率を適当に選択することによって、電子軌道上に焦点を設定し、かつ、入射したレーザが何度も電子軌道を横切るようにすることで、電子ビームの軌道をレーザとを交差させて、レーザ逆コンプトン散乱光10を発生可能とする。
Claim (excerpt)：
二枚の凹面鏡から構成されるマルチパスセル、レーザ、ステアリングミラーを含む光学系から構成されるマルチパスレーザコンプトン散乱光発生器であって、上記マルチパスセルには、偏向電磁石を用いて電子ビームを導入させ、上記マルチパスセルの上記二枚の凹面鏡は、その曲率を適当に選択することによって、電子軌道上に焦点を設定し、かつ、入射したレーザが何度も電子軌道を横切るようにすることで、電子ビームの軌道をレーザとを交差させて、レーザ逆コンプトン散乱光を発生可能とすることを特徴とするマルチパスレーザコンプトン散乱光発生器。
IPC (2)：
H01S 3/30 ,  G21K 5/02
FI (2)：
H01S 3/30 A ,  G21K 5/02 X
F-Term (2)：
5F072JJ20 ,  5F072KK01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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