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J-GLOBAL ID：200903013278552985

ZnO結晶、その成長方法および光半導体装置

Inventor： 佐野 道宏 ,  宮本 和弘 ,  五月女 博明
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000102973
Publication number (International publication number)：2001287998
Application date： Apr. 05, 2000
Publication date： Oct. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 欠陥の少ない良質なZnO層を提供する。【解決手段】 III族元素が適度にドーピングされ、室温において430nmから630nmの波長領域を含むブロードなPL発光スペクトルを有しない。

Claim (excerpt)：

III族元素が適度にドーピングされ、室温において430nmから630nmの波長領域を含むブロードなPL発光スペクトルを有しないZnO結晶。

IPC (4)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00

FI (4)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 M ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D

F-Term (41)：

4G077AA03 ,  4G077BE31 ,  4G077DA09 ,  4G077DA15 ,  4G077DA20 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077SC02 ,  4G077SC08 ,  4G077SC12 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA82 ,  5F041CA84 ,  5F041FF01 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB05 ,  5F103BB16 ,  5F103BB36 ,  5F103BB48 ,  5F103BB55 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103PP02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-245220   Applicant：スタンレー電気株式会社, 八百隆文

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Transparent and conductive Ga-doped ZnO films grown by low pressure metal organic chemical vapor dep