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J-GLOBAL ID：200903013280070106

ドライプロセス用ガス

Inventor： 岩森 暁 ,  福田 伸 ,  野崎 正平 ,  中島 康甫 ,  福田 信弘
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996247436
Publication number (International publication number)：1998081600
Application date： Sep. 19, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【解決手段】 成分にCH3 Iを含むドライプロセス用ガス。【効果】 本発明のドライプロセス用ガスを使用することによって、従来不可能であった導電性酸化物の、室温での高速異方性エッチング方法および地球環境に優しい乾式クリーニング方法及び銅のエッチング方法が提供される。

Claim (excerpt)：

成分にCF3 Iを含むドライプロセス用ガス。

IPC (3)：

C30B 33/12 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

C30B 33/12 ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 特開昭63-303935
  
• 特開昭63-033586
  
• 特開平4-170026
  
• 低温ドライエッチング方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-020769   Applicant：日立電線株式会社
• 特開昭64-017857
  
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-348467   Applicant：株式会社東芝
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-128594   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (12)

• 特開昭63-303935
  
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-348467   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭63-033586
  
• 特開平4-170026
  
• 低温ドライエッチング方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-020769   Applicant：日立電線株式会社
• 特開昭64-017857
  
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-128594   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭64-017857
  
• 特開昭63-303935
  
• 特開昭63-033586
  
• 特開平4-170026
  
• 特開昭64-017857
  

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ITO膜のドライエッチング特性(II)

Cited by examiner (1)

• ITO膜のドライエッチング特性(II)