電子素子パッケージおよび電子素子パッケージの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003410046
Publication number (International publication number)：2005175047
Application date： Dec. 09, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：

【課題】電子素子パッケージにおいて半導体素子を低温にて密閉空間に収納する。【解決手段】電子素子パッケージ1は、キャビティ(凹部)99を有する樹脂製の基板9、基板9のキャビティ99の底面に実装される半導体素子71、および、キャビティ99の開口部を塞いで基板9に取り付けられることにより半導体素子71が収納される内部空間90を基板9と共に形成する樹脂製の蓋部材2を備える。基板9および蓋部材2はそれぞれ、金で形成された基板金属部31および蓋金属部32を有する。基板金属部31および蓋金属部32の温度が室温以上150°C以下とされるとともに両金属部に減圧環境下にて高速原子ビームが照射されて洗浄され、その後、互いを接触させることにより低温にて基板9と蓋部材2とが接着される。その結果、耐熱性の低い半導体素子71を密閉された内部空間90に収納することが実現される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電子素子パッケージであって、電子素子と、前記電子素子が収納される空間を形成する第1の容器部材および第2の容器部材と、前記第1の容器部材と前記第2の容器部材とを接着して前記空間を密閉する金属層と、を備え、前記金属層が、減圧または不活性ガス環境下にて前記第1の容器部材の接着部位上の金属部と前記第2の容器部材の接着部位上の金属部とにエネルギー波を照射した後、両金属部を互いに接触させることにより形成されたものであることを特徴とする電子素子パッケージ。

IPC (1)：

H01L23/02

FI (1)：

H01L23/02 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

表面弾性波デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-302278 Applicant：株式会社日立メディアエレクトロニクス
特開平2-303676
常温接合方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-160606 Applicant：三菱重工業株式会社

Cited by examiner (2)

特開平2-303676
常温接合方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-160606 Applicant：三菱重工業株式会社

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