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J-GLOBAL ID：200903013406385485

酸化ルテニウム膜の形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 中林 正明
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996317465
Publication number (International publication number)：1998163131
Application date： Nov. 28, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】酸化ルテニウム膜の形成方法に関し、500°C以上の温度で成膜が可能で、しかも500°C以上の高温に耐えられる膜を形成すること。【解決手段】ルテニウム有機金属化合物と酸化ガスを成膜領域1に導入し、酸素分圧を6Torr以下に設定して基板W上に酸化ルテニウム膜32を気相成長することを特徴とする酸化ルテニウム膜の形成方法を含む。

Claim (excerpt)：

ルテニウム有機金属化合物と酸化ガスを成膜領域に導入し、酸素分圧を6Torr以下に設定して基板上に酸化ルテニウム膜を気相成長することを特徴とする酸化ルテニウム膜の形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C01G 55/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  C01G 55/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 酸化ルテニウムの成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068877   Applicant：日本酸素株式会社, 岡田勝
• 半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-097071   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

Cited by examiner (2)

• 酸化ルテニウムの成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068877   Applicant：日本酸素株式会社, 岡田勝
• 半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-097071   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション