半導体基板材料とその製造方法及び該基板を用いた半導体装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995284483
Publication number (International publication number)：1997055460
Application date： Oct. 04, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】軽量で、基板として適度な熱膨張率と高い熱伝導率とを兼ね備えたAl-Si合金からなり、しかも表面にアルマイト層等の絶縁層やメッキ層を形成することができる半導体基板材料、及びその製造方法、並びに該基板材料を用いた高性能・高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】熱伝導率が0.28cal/cm・sec・°C以上、熱膨張係数が12×10-6/°C以下、密度が2.5g/cm3以下であって、Siを50〜80重量%含有するAl-Si合金からなる半導体基板材料。この基板材料は、噴霧法による急冷凝固Al-Si合金粉末を用い、鍛造や焼結等の方法により固化して製造する。

Claim (excerpt)：

熱伝導率が0.28cal/cm・sec・°C以上、熱膨張率が12×10-6/°C以下、密度が2.5g/cm3以下であって、Siを50〜80重量%含有するAl-Si合金からなる半導体基板材料。

IPC (10)：

H01L 23/373 , B22F 9/08 , C01B 33/02 , C22C 21/02 , C22C 28/00 , C22F 1/043 , C23C 30/00 , C25D 11/04 302 , C25D 11/04 305 , H01L 23/14

FI (10)：

H01L 23/36 M , B22F 9/08 A , C01B 33/02 Z , C22C 21/02 , C22C 28/00 B , C22F 1/043 , C23C 30/00 A , C25D 11/04 302 , C25D 11/04 305 , H01L 23/14 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平1-205055
エレクトロニックパッケージング用ケイ素合金
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-506439 Applicant：オスプリメタルズリミテッド
靭性のすぐれたAl-Si系合金製熱間鍛造部材の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-190950 Applicant：三菱マテリアル株式会社