半導体装置の配線形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994316742
Publication number (International publication number)：1995211718
Application date： Dec. 20, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】収率および信頼性の高い半導体装置の配線形成方法を提供する。【構成】基板上に形成された下部構造物20上にAlを含む下部導電層21を形成し、下部導電層21上に形成された絶縁層22上にフォトレジストパターン23を形成する。フォトレジストパターン23を蝕刻マスクとする湿式蝕刻により絶縁層22を所定の厚さまで等方性蝕刻した後、残った絶縁層22をRIE方法によりテーパ蝕刻して直径が下部に行くほど小さくなるように開口部を形成する。続いて、下部導電層21が開口部により露出することを保障するために、フルオロカーボン系のガスと酸素との混合ガスを使用してオーバエッチングし、前記結果物をRIEスパッタリングする。フルオロカーボン系のガスを使用して下部導電層21上の絶縁層を蝕刻することにより、開口部を形成する時に生成するポリマー26や不揮発性の副産物などを除去する。

Claim (excerpt)：

下部構造物上にアルミニウムを含む導電層を形成する段階と、前記導電層上に絶縁層を形成する段階と、開口部の形成される領域の前記絶縁層を表面に露出させるフォトレジストパターンを前記絶縁層上に形成する段階と、前記フォトレジストパターンを蝕刻マスクとして前記導電層が表面に露出されるまで前記絶縁層を蝕刻することによって開口部を形成する段階と、結果物をRIEスパッタリングする段階とを含むことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 , H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/88 F , H01L 21/302 N , H01L 21/302 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平3-055834
特開平4-212425
特開平2-284419

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Cited by examiner (6)

特開平3-055834
特開平4-212425
特開平2-284419

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