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J-GLOBAL ID：200903013546688437

縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置、SiCエピタキシャル成長方法及びSiCエピタキシャル成長膜

Inventor： 藤原 広和 ,  旦野 克典 ,  木本 恒暢 ,  東城 哲朗 ,  松波 弘之
Applicant, Patent owner： 東洋炭素株式会社
Agent (2)： 梶 良之 ,  須原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003344458
Publication number (International publication number)：2005109408
Application date： Oct. 02, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】剥離やクラックの発生が抑制されるサセプタを用いた縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置、この装置を用いたSiCエピタキシャル成長方法及びこれらの装置と方法とを用いて形成されるSiCエピタキシャル成長膜を提供する。【解決手段】縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置1は、エピタキシャル成長室2と、エピタキシャル成長室2内へガス供給制御するガス供給制御弁3と、エピタキシャル成長室2内をガス供給制御弁3と共に圧力制御する弁4と、エピタキシャル成長室2外壁周辺部に螺旋状に配置されるRFコイル5と、エピタキシャル成長室2の中心に配置される角筒形状の黒鉛からなる第1サセプタ8と、第1サセプタ8内部に設けられる角筒形状の黒鉛からなる第2サセプタ9とを備えてなる。高速成長、高精度のエピ膜を得るには、装置1を用いた所定のエピ成長方法を用いる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ガスが下から上の方向に流れるように給気口と排気口とが設けられている結晶成長を行うエピタキシャル成長室と、 前記エピタキシャル成長室の内部中心に中心軸が上下方向となるように配置され、黒鉛で一体成形されてなる角筒形状の第1サセプタと、 前記第1サセプタの内部に設けられ、内壁にSiCウェハが対面して設置可能であって、黒鉛で一体成形されてなる角筒形状の第2サセプタと、 前記給気口側に設けられている前記エピタキシャル成長室内へのガスの供給を制御する手段と、 前記排気口側に設けられ、前記ガスの供給を制御する手段と共に、前記エピタキシャル成長室内の圧力を制御する弁と、 前記エピタキシャル成長室の外壁周辺部に螺旋状に配置されるRFコイルと を備えてなる縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置。

IPC (4)：

H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46 ,  C30B29/36

FI (4)：

H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46 ,  C30B29/36 A

F-Term (47)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB07 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077EG20 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TD01 ,  4G077TD02 ,  4G077TE02 ,  4G077TE05 ,  4G077TF03 ,  4G077TF04 ,  4G077TG03 ,  4G077TK06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA20 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA47 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB13 ,  5F045BB14 ,  5F045DP05 ,  5F045DP09 ,  5F045DP18 ,  5F045EK03 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045GB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-127471   Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
• 半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-357053   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 炭化珪素膜のCVD方法、CVD装置及びCVD装置用サセプター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-274349   Applicant：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社日立製作所, 三洋電機株式会社

Cited by examiner (3)

• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-127471   Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
• 半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-357053   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 炭化珪素膜のCVD方法、CVD装置及びCVD装置用サセプター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-274349   Applicant：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社日立製作所, 三洋電機株式会社