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J-GLOBAL ID:200903013620419800
面発光レーザ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
若林 忠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997073742
Publication number (International publication number):1998270790
Application date: Mar. 26, 1997
Publication date: Oct. 09, 1998
Summary:
【要約】【課題】 電気抵抗を低減した面発光レーザを提供する。【解決手段】 上部半導体多層膜を迂回して電流注入が可能なように、上部半導体多層膜の一部をエッチングして電極を形成する面発光レーザにおいて、電極形成層上にトレンチを形成して、実質的に電極面積を大きくとることで、コンタクト抵抗を低減する。
Claim (excerpt):
上部半導体多層反射膜と、活性層を含む中間層と、下部半導体多層反射膜と、電流狭窄のための高抵抗領域と、上部半導体多層膜を該多層膜の最下層を残してエッチングしてメサを形成し、そのメサ全面およびメサの底部周辺を覆い、かつ、上部半導体多層膜を迂回して電流注入が可能なように設けられた電極とを有する面発光レーザにおいて、上記メサの底部周辺において該電極が接触する上部半導体多層膜の最下層であるコンタクト層に少なくとも1ケのトレンチが形成されていることを特徴とする面発光レーザ。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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面発光レーザ及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-335832
Applicant:日本電気株式会社
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半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-101166
Applicant:ソニー株式会社
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特開平3-120717
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特開平1-264269
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面型発光素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-039171
Applicant:日本電信電話株式会社
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特開平3-089578
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