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J-GLOBAL ID：200903087358537824

半導体発光素子

Inventor： 石橋 晃 ,  中山 典一 ,  奥山 浩之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994101166
Publication number (International publication number)：1995307526
Application date： May. 16, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 p側電極を、電気的、機械的に良好にコンタクト層にコンタクトして動作電圧の低減化、長寿命化、信頼性の向上をはかる。【構成】 p側電極9がこの電極9のコンタクト層7の上面7aおよび側面7bに渡って被着する構造とする。

Claim (excerpt)：

p側電極が、該電極のコンタクト層の上面および側面に渡って被着されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-259702   Applicant：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
• 特開昭62-252180
  
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-202080   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体発光素子、半導体レーザ及び半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-284623   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-248160   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-259702   Applicant：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
• 特開昭62-252180
  
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-202080   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体発光素子、半導体レーザ及び半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-284623   Applicant：株式会社日立製作所