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J-GLOBAL ID：200903013636980153

SiF4ガスの製造方法

Inventor： 原田 功 ,  井上 博行
Applicant, Patent owner： 三井化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998319339
Publication number (International publication number)：2000143227
Application date： Nov. 10, 1998
Publication date： May. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高純度SiF4ガスを安価に製造する。【解決手段】 珪フッ化物又は珪フッ化物を合成し得る2種以上の化合物を硫酸にて分解し、SiF4ガスを発生させる方法に於いて、硫酸中に溶存する炭酸ガスをあらかじめ除去する。

Claim (excerpt)：

珪フッ化物又は珪フッ化物を合成し得る2種以上の化合物を硫酸にて分解し、SiF4ガスを発生させる方法に於いて、硫酸中に溶存する炭酸ガスをあらかじめ除去することを特徴とするSiF4ガスの製造方法。

IPC (2)：

C01B 33/107 ,  H01L 31/04

FI (2)：

C01B 33/107 A ,  H01L 31/04 V

F-Term (14)：

4G072AA09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH03 ,  4G072HH05 ,  4G072JJ15 ,  4G072LL02 ,  4G072LL06 ,  4G072LL07 ,  4G072MM01 ,  4G072RR06 ,  4G072TT19 ,  4G072UU21 ,  4G072UU30 ,  5F051CA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 燐酸製造プロセスからフッ化ケイ素を回収する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-242891   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 四弗化ケイ素ガスの精製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-240864   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 特開平4-175217
  
• 特開平4-175217