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J-GLOBAL ID：200903013646535999

半導体発光素子

Inventor： 粕川 秋彦
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 稲垣 清 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996177021
Publication number (International publication number)：1998004239
Application date： Jun. 17, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 簡素な工程で製造できるリッジ構造の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザには、リッジ構造19〜21と活性層16との間に選択的に酸化可能なp-AlAs半導体層18が設けられ、製造工程中に、リッジ幅の側縁部に相当する半導体層の部分が酸化されて選択酸化層18Bを構成し、リッジ幅の中心に相当する部分がそのまま半導体層部分18Aとして残される。選択酸化層18Bはリッジ構造と組み合わせることにより、電流狭窄及び横モード制御を可能にする。リッジ構造の半導体レーザが、1回の成長工程で得られ、製造工程が簡素化される。リッジ構造の幅を、共振器の端面で小さく中央部で大きくすることにより、中央部の有効リッジ幅を小さくすると共に、端面近傍では電流阻止構造に形成する。これにより、レーザしきい値を低減し、小さな径の円形ビームを得ると共に、レーザのCODをも防止する。

Claim (excerpt)：

活性層の上下を該活性層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する結晶層で挟む光共振器を備えるリッジ導波路型半導体発光素子において、前記結晶層の少なくとも一方が、0.8<x≦1として、組成がAl<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>Asで与えられる1の半導体層を含み、該半導体層の一部が酸化膜層に形成されることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-260100   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-089855   Applicant：三洋電機株式会社