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J-GLOBAL ID：200903013649533873

ITO焼結体およびその製造方法ならびに前記ITO焼結体を用いたITO膜の成膜方法

Inventor： 杉原 正彦 ,  寺田 順司 ,  橋本 茂
Applicant, Patent owner： 株式会社オプトロン ,  キヤノン株式会社
Agent (1)： 阪本 善朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997058475
Publication number (International publication number)：1998237632
Application date： Feb. 26, 1997
Publication date： Sep. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 安定した透明性と導電性を有し、しかもピンホール等の欠陥のないITO膜を得る。【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とするITO焼結体の原材料に、SiO2 とMgO、あるいはSiO2 とMgOとAl2 O3 をそれぞれ所定の割合で添加し、0.2〜20MPaの比較的低いプレス圧力でペレット状等に圧縮成形して、加熱、焼結させる。このようなITO焼結体を蒸発源あるいはターゲットとして、真空蒸着やスパッタリングによってITO膜を成膜すると、錫の含有量がITO焼結体と同じであってしかもピンホール等のないITO膜を成膜できる。

Claim (excerpt)：

酸化インジウムと酸化錫を主成分とするITO膜成膜用のITO焼結体の原材料に、前記ITO膜の錫の含有量を調節するための添加物としてSiO2 とMgOをそれぞれ所定の割合で添加したことを特徴とするITO焼結体。

IPC (5)：

C23C 14/24 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343

FI (5)：

C23C 14/24 E ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 Z ,  G02F 1/1343 ,  C04B 35/00 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 透明導電膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-094473   Applicant：グンゼ株式会社
• 透明導電膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-094544   Applicant：グンゼ株式会社
• ITO焼結体及びスパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-199388   Applicant：東ソー株式会社