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J-GLOBAL ID:200903013700584321

薄膜温度センサ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 瀧野 秀雄 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995076084
Publication number (International publication number):1996271332
Application date: Mar. 31, 1995
Publication date: Oct. 18, 1996
Summary:
【要約】【目的】 強固な架橋構造を有するとともに、電気的特性が安定した薄膜温度センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 空洞部13が形成された基板1に架橋状に電極層6が形成され、その電極部6A,6Bに感熱抵抗膜7,8が接着され、感熱抵抗膜7,8を覆うように保護絶縁膜9、緩衝膜10及びガラス層11が形成されており、保護絶縁膜9とガラス層11が基板1上に延在することよって、感熱部Aの機械的強度を高めるとともに、感熱抵抗膜7,8を絶縁膜5,9が挟んだ形状及び緩衝膜10によって、熱処理工程によって感熱抵抗膜7,8の成分の変化により電気的特性が変動するのを解消するとともに、ガラス層11を硼珪酸ガラス系のガラス層として赤外線吸収特性を改善している。
Claim (excerpt):
基板上に形成された一対の電極層に接する少なくとも一層の感熱抵抗膜が絶縁膜と保護絶縁膜とで挟まれ、前記感熱抵抗膜の直上の前記保護絶縁膜表面に緩衝膜が形成され、且つ、前記緩衝膜を覆うガラス層が形成されていることを特徴とする薄膜温度センサ。
IPC (4):
G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  G01K 7/22 ,  H01L 37/00
FI (4):
G01J 1/02 C ,  G01J 5/02 ,  G01K 7/22 A ,  H01L 37/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
  • 特開昭56-120102
  • 赤外線検出素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-286385   Applicant:松下電工株式会社
  • CMOS装置におけるコンタクトの構成体及び製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-165636   Applicant:エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・インコーポレイテッド
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