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J-GLOBAL ID：200903013701310942

薄膜作成法

Inventor： 金沢 秀宏 ,  大谷 実 ,  安藤 謙二 ,  鈴木 康之 ,  信宮 利昭 ,  枇榔 竜二
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001261286
Publication number (International publication number)：2003073824
Application date： Aug. 30, 2001
Publication date： Mar. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 プラズマによって生ずる負イオンを除去し、さらに正イオンおよび電子の、基板に到達する数およびエネルギーを制御することを可能な薄膜作成法を提供する。【解決手段】 正または負の電場もしくは、アース電位をかけることができる導体または半導体からなる電極を操作する方法、あるいは、磁場を用いた機構を操作する方法等により、プラズマ中の正イオンおよび電子の軌道を制御し、基板に入射する正イオンおよび電子の、それぞれの量およびエネルギーを制御して成膜する。

Claim (excerpt)：

スパッタにて成膜する際、ターゲット電圧により加速された負イオンが基板に到達しないようにするためにスパッタ面を成膜される基板に対面しない位置に配置して行なう薄膜作成法において、プラズマ中の正イオン及び電子の軌道を制御することにより、基板に入射する正イオン及び電子のそれぞれの量及びエネルギーを制御して成膜することを特徴とする、薄膜作成方法。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  H05H 1/46

FI (3)：

C23C 14/34 S ,  C23C 14/06 G ,  H05H 1/46 A

F-Term (7)：

4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC13 ,  4K029DC28 ,  4K029DC34 ,  4K029DC43 ,  4K029EA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平1-283371
  
• プラズマ増強スパッタリング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-029397   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平2-197567
  
• 電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタ装置及び薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-374382   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (4)

• 特開平2-197567
  
• 特開平1-283371
  
• プラズマ増強スパッタリング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-029397   Applicant：キヤノン株式会社
• 電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタ装置及び薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-374382   Applicant：ソニー株式会社