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J-GLOBAL ID:200903013719170684
単一光子の検出方法および単一光子の検出装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
酒井 伸司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002034747
Publication number (International publication number):2003243694
Application date: Feb. 13, 2002
Publication date: Aug. 29, 2003
Summary:
【要約】【課題】 単一光子の入射を精度良く検出し得る単一光子の検出方法および検出装置を提供する。【解決手段】 アバランシェフォトダイオード11のブレークダウン電圧を下回る所定電圧と、単一光子発生源2によって光子Phの出射と共に出力されるトリガ信号Stに同期して生成され所定電圧との合成電圧がブレークダウン電圧を上回る第1のパルス電圧Vp1とをアバランシェフォトダイオード11に印加した状態においてアバランシェフォトダイオード11に光子Phを入射させ、アバランシェフォトダイオード11によって出力されるパルス信号Spの出力レベルが所定のしきい値を超えたときに光子Phの入射を検出する単一光子の検出方法であって、アバランシェフォトダイオード11に対する第1のパルス電圧Vp1の印加開始タイミングを光子Phの入射付近の最適タイミングに調整する。
Claim (excerpt):
アバランシェフォトダイオードのブレークダウン電圧を下回る所定電圧と、単一光子発生源によって単一光子の出射と共に出力されるトリガ信号に同期して生成され前記所定電圧との合成電圧が前記ブレークダウン電圧を上回る第1のパルス電圧とを当該アバランシェフォトダイオードに印加した状態において当該アバランシェフォトダイオードに前記単一光子を入射させ、前記アバランシェフォトダイオードによって出力される出力信号の出力レベルが所定のしきい値を超えたときに前記単一光子の入射を検出する単一光子の検出方法であって、前記アバランシェフォトダイオードに対する前記第1のパルス電圧の印加開始タイミングを前記単一光子の入射付近の最適タイミングに調整する単一光子の検出方法。
IPC (2):
FI (2):
G01J 11/00
, H01L 31/10 B
F-Term (19):
2G065AA04
, 2G065AA12
, 2G065AB14
, 2G065AB19
, 2G065BA09
, 2G065BA40
, 2G065BC03
, 2G065BC04
, 2G065BC07
, 2G065BC17
, 2G065BC35
, 5F049MA07
, 5F049NA01
, 5F049NA04
, 5F049NA17
, 5F049NB07
, 5F049UA12
, 5F049UA13
, 5F049UA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開平2-222820
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特開平4-351932
-
光検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-304311
Applicant:浜松ホトニクス株式会社
-
光学測定方法及び光学測定装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-218510
Applicant:浜松ホトニクス株式会社
-
蛍光寿命測定装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-149385
Applicant:株式会社分子バイオホトニクス研究所
-
パルス光測光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-030521
Applicant:株式会社分子バイオホトニクス研究所
-
光波形計測装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-195898
Applicant:浜松ホトニクス株式会社
-
特開昭58-045522
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