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J-GLOBAL ID：200903013730911866

プラズマ処理方法及び装置

Inventor： 渡辺 克哉 ,  金井 三郎 ,  濱崎 良二 ,  吉田 剛 ,  大本 豊 ,  児島 雅之 ,  笹部 俊二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立テクノエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995255972
Publication number (International publication number)：1997102484
Application date： Oct. 03, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明の課題は加工精度、加工形状と選択比の間のトレ-ドオフの関係を解消すること、及び加工精度、加工形状と選択比を同時に満足するプラズマ処理方法及び装置を提供することである。【解決手段】電磁波によってプラズマを発生させて試料を処理する方法において、放電領域となる真空容器の内部に炭化ケイ素(SiC)等の炭素を含む物質を設置する構成とした。

Claim (excerpt)：

電磁波によってプラズマを発生させて試料を処理する方法において、放電領域となる真空容器の内部の少なくとも一部に炭素を含む物質を設置することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H05H 1/46 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• マイクロ波プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-034154   Applicant：日電アネルバ株式会社
• 半導体製造装置及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-048892   Applicant：株式会社東芝
• 半導体のドライエッチング方法及びその半導体のドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-242422   Applicant：株式会社東芝