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J-GLOBAL ID：200903013760264962

機能化したナノ粒子濃縮物

Inventor：
トーステン・レーダ

About トーステン・レーダ

, 
ジェフリー・レイモンド・バクスター

About ジェフリー・レイモンド・バクスター


Applicant, Patent owner：
コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガニゼーション

About コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガニゼーション


Agent (5)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003523504
Publication number (International publication number)：2005501693
Application date： Aug. 26, 2002
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：
本発明は表面改変ナノ粒子凝集体の安定なゾルを調製する方法を提供する。この方法は、(i)ナノ粒子のゾルを生成するステップと;(ii)ナノ粒子のゾルに、少なくとも1種の機能化剤を加えるステップと;(iii)ナノ粒子と少なくとも1種の機能化剤を反応させて、表面改変ナノ粒子凝集体のゾルを生成するステップと;(iv)表面改変ナノ粒子凝集体のゾルを精製して、表面改変ナノ粒子凝集体の精製したゾルであって、凝集体が直径約4nmから直径約10μmを超えるサイズの範囲にあるゾルを得るステップを含む。
Claim (excerpt)：
(i)ナノ粒子のゾルを生成するステップと、 (ii)前記ナノ粒子のゾルに、少なくとも1種の機能化剤を加えるステップと、 (iii)前記ナノ粒子と前記少なくとも1種の機能化剤とを反応させて、表面改変ナノ粒子凝集体のゾルを形成するステップと、 (iv)前記表面改変ナノ粒子凝集体のゾルを精製して、表面改変ナノ粒子凝集体の精製ゾルであって前記凝集体が直径約4nm〜約10μmのサイズの範囲にあるゾルを得るステップ とを含む、表面改変ナノ粒子凝集体の安定なゾルを調製する方法。
IPC (9)：
B01J13/00 ,  B05D7/24 ,  C09C1/00 ,  C09C3/06 ,  C09C3/08 ,  C09C3/10 ,  C09D11/00 ,  C09D201/00 ,  H01B1/20
FI (9)：
B01J13/00 C ,  B05D7/24 301Z ,  C09C1/00 ,  C09C3/06 ,  C09C3/08 ,  C09C3/10 ,  C09D11/00 ,  C09D201/00 ,  H01B1/20 A
F-Term (94)：
4D075EA12 ,  4D075EA33 ,  4D075EB01 ,  4D075EB57 ,  4G065AA04 ,  4G065AB16Y ,  4G065AB21X ,  4G065AB21Y ,  4G065BA20 ,  4G065BB01 ,  4G065BB03 ,  4G065BB07 ,  4G065DA06 ,  4G065DA09 ,  4G065EA10 ,  4G065FA02 ,  4J037AA04 ,  4J037AA06 ,  4J037AA12 ,  4J037AA15 ,  4J037AA18 ,  4J037AA22 ,  4J037CA08 ,  4J037CB01 ,  4J037CB04 ,  4J037CB07 ,  4J037CB09 ,  4J037CB19 ,  4J037CB21 ,  4J037CB23 ,  4J037CB26 ,  4J037CC01 ,  4J037CC12 ,  4J037CC13 ,  4J037CC15 ,  4J037CC16 ,  4J037DD05 ,  4J037EE03 ,  4J037EE04 ,  4J037EE06 ,  4J037EE25 ,  4J037FF09 ,  4J037FF15 ,  4J037FF23 ,  4J038BA182 ,  4J038BA212 ,  4J038BA222 ,  4J038CB011 ,  4J038CC021 ,  4J038CF021 ,  4J038CG141 ,  4J038HA066 ,  4J038HA146 ,  4J038HA446 ,  4J038JA08 ,  4J038JA66 ,  4J038JB16 ,  4J038JB25 ,  4J038JC38 ,  4J038KA08 ,  4J038KA20 ,  4J038KA21 ,  4J038NA01 ,  4J038NA26 ,  4J038PA19 ,  4J039AB07 ,  4J039AB12 ,  4J039AD01 ,  4J039AD03 ,  4J039AD08 ,  4J039AD10 ,  4J039BA06 ,  4J039BA07 ,  4J039BA13 ,  4J039BA21 ,  4J039BA31 ,  4J039BA35 ,  4J039BA37 ,  4J039BC05 ,  4J039BC07 ,  4J039BC12 ,  4J039BD03 ,  4J039CA11 ,  4J039EA14 ,  4J039EA33 ,  4J039EA43 ,  4J039EA44 ,  4J039EA46 ,  4J039GA24 ,  5G301DA03 ,  5G301DA05 ,  5G301DA32 ,  5G301DA42 ,  5G301DD02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • コアシェル型半導体ナノ粒子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-252847   Applicant：三菱化学株式会社
  • 半導体ナノ粒子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-210902   Applicant：日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
  • 撥水・撥油表面の作製方法と該表面を有する構造体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-069908   Applicant：科学技術振興事業団
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