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J-GLOBAL ID：200903013832088935

イオンビーム照射装置

Inventor：
酒井 滋樹

About 酒井 滋樹


Applicant, Patent owner：
日新電機株式会社

About 日新電機株式会社


Agent (1)： 山本 恵二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002051106
Publication number (International publication number)：2003257356
Application date： Feb. 27, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ源の下流側に偏向電磁石が存在していても、プラズマ源から放出されたプラズマ中の電子が偏向電磁石内をイオンビームの経路に沿って移動することができるようにして、当該電子によってイオンビームの空間電荷を広い領域に亘って中和することができるようにする。【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、プラズマ源24の下流側に偏向電磁石30を有している。この偏向電磁石30内に、当該偏向電磁石30が作る磁界Bおよびイオンビーム4の進行方向の両者に直交する方向の電界Eを発生させる一組の電極36を設け、これに電源38から上記電界Eを発生させる電圧を印加するように構成している。
Claim (excerpt)：
イオンビームを偏向電磁石内を通して輸送して基板に照射する装置であって、当該偏向電磁石の上流側に、プラズマを発生させてそれをイオンビームの経路に供給するプラズマ源を有するイオンビーム照射装置において、前記偏向電磁石内にイオンビームの経路を挟んで設けられていて、当該偏向電磁石が作る磁界およびイオンビームの進行方向の両者に実質的に直交する方向の電界を発生させる一組の電極と、この電極に前記電界を発生させる電圧を印加する電源とを備えることを特徴とするイオンビーム照射装置。
IPC (5)：
H01J 37/317 ,  G21K 1/087 ,  G21K 5/04 ,  H01J 37/147 ,  H01L 21/265 603
FI (6)：
H01J 37/317 A ,  H01J 37/317 Z ,  G21K 1/087 D ,  G21K 5/04 A ,  H01J 37/147 D ,  H01L 21/265 603 B
F-Term (2)：
5C034CC04 ,  5C034CC17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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