基板研磨装置及び研磨終点検出方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997147399
Publication number (International publication number)：1998335288
Application date： Jun. 05, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】インプロセスでの膜厚測定を光学的に実現してなる基板研磨装置において、膜厚測定用の光路をより簡易的に形成できるようにする。【解決手段】基板保持台5にて保持した基板4に研磨プレート2のパッド面を押し付けつつ、研磨剤の研磨作用によって基板4の表面を研磨加工する基板研磨装置において、研磨加工中における基板4の被加工面に対向可能に配設され、その被加工面から研磨剤を含む測定阻害物を除去する洗浄ノズル9と、この洗浄ノズル9による被加工面の洗浄領域に一端を対向させて配置してなる可撓性の光導通管10a,10bと、この光導通管10a,10bを通して基板4上での膜厚を光学的に測定する膜厚測定手段(11,12)とを備える。

Claim (excerpt)：

基板保持台にて保持した基板に研磨プレートのパッド面を押し付けつつ、研磨剤の研磨作用によって前記基板の表面を研磨加工する基板研磨装置において、研磨加工中における前記基板の被加工面に対向可能に配設され、その被加工面から前記研磨剤を含む測定阻害物を除去する洗浄手段と、前記洗浄手段による前記被加工面の洗浄領域に一端を対向させて配置してなる可撓性の光導通管と、前記光導通管を通して前記基板上での膜厚を光学的に測定する膜厚測定手段とを備えたことを特徴とする基板研磨装置。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , B24B 49/12 , G01B 11/06

FI (4)：

H01L 21/304 341 E , H01L 21/304 341 M , B24B 49/12 , G01B 11/06 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

研磨方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-155402 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
平面研磨方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-146631 Applicant：スピードファム株式会社
膜厚測定装置及びポリシング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-336969 Applicant：株式会社東芝

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