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J-GLOBAL ID：200903013993563595

半導体製造方法

Inventor：
竹中 靖博

About 竹中 靖博


Applicant, Patent owner：
川崎マイクロエレクトロニクス株式会社

About 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社


Agent (2)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003066398
Publication number (International publication number)：2004273991
Application date： Mar. 12, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：
【課題】最小限の時間で堆積物の除去が可能であり、しかも安定した品質の半導体装置が得られる半導体製造方法を提供する。【解決手段】CVD処理装置のチャンバ1内へのウエハW挿入と、成膜処理とを繰り返すことにより複数のウエハW上に成膜することを含む半導体製造方法において、成膜の毎にチャンバ1内に還元性ガスを供給し、高周波電力を印加して発生させたプラズマでチャンバ1内をコンディショニング処理する。成膜とコンディショニング処理とを交互に所定回数行った後、所定回数の成膜処理によってチャンバ1内に付着した堆積物をプラズマエッチングで除去するクリーニング処理を行う。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
チャンバ内への半導体基板の挿入と、前記挿入した半導体基板上への成膜処理とを繰り返すことにより複数の半導体基板上に成膜することを含む半導体製造方法であって、前記半導体基板上への成膜をフッ化物ガスを原料とする化学気相成長法によって行うと同時に、前記チャンバ内への堆積物の付着を行い、前記チャンバ内への半導体基板の挿入と成膜とを複数回繰り返した後、前記複数回の繰り返しの間に前記チャンバ内に付着した堆積物をプラズマエッチングにより除去するクリーニングを行い、かつ、前記複数回の繰り返しのそれぞれの間に、還元性ガスプラズマを用いた前記チャンバ内のコンディショニングを行うことを特徴とする半導体製造方法。
IPC (5)：
H01L21/285 ,  C23C16/08 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28
FI (6)：
H01L21/285 C ,  H01L21/285 301 ,  C23C16/08 ,  C23C16/44 A ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 301R
F-Term (17)：
4K030AA04 ,  4K030AA17 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  5F045AA03 ,  5F045AC00 ,  5F045AC15 ,  5F045BB15 ,  5F045EB06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 成膜方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-063202   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • 特開昭62-214175
  • 化学的気相堆積処理を改善する方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-143446   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
Cited by examiner (3)
  • 成膜方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-063202   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • 特開昭62-214175
  • 化学的気相堆積処理を改善する方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-143446   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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