成膜方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001063202
Publication number (International publication number)：2002266073
Application date： Mar. 07, 2001
Publication date： Sep. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】表面状態および特性のばらつきが小さく安定して良好な膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】処理容器11内にHFを含むガスまたは反応によりHFガスを生成する物質を導入して、処理容器11内をHFを含むガスでパージし(ST3)、処理容器11内に被処理基板Wを配置し(ST4)、処理容器11内に成膜ガスを供給して成膜処理を行う(ST6,ST7)。

Claim (excerpt)：

処理容器内にHFを含むガスまたは反応によりHFガスを生成する物質を導入して、処理容器内をHFを含むガスでパージする工程と、前記処理容器内に被処理基板を配置する工程と、前記処理容器内に成膜ガスを供給して成膜処理を行う成膜工程とを具備することを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

C23C 16/14 , C23C 16/02 , H01L 21/285 301

FI (3)：

C23C 16/14 , C23C 16/02 , H01L 21/285 301 R

F-Term (15)：

4K030AA04 , 4K030AA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA38 , 4K030BB13 , 4K030DA02 , 4K030DA06 , 4K030FA03 , 4K030LA15 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

CVD装置のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-195617 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-328865 Applicant：東京エレクトロン株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-319403 Applicant：ソニー株式会社

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