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J-GLOBAL ID：200903014019739623

不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
千田 哲也

About 千田 哲也


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997066483
Publication number (International publication number)：1998261774
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、NAND型フラッシュメモリに関し、インバリッド・ブロックが発生した場合でも、当該ブロックをまるごと使用禁止にすることなく全体としてメモリセルの有効利用を図ることを目的とする。【解決手段】 所定の大きさの情報記憶領域の単位毎に複数の書換え可能な不揮発性メモリセルQ1M1 〜Q1M16が直列に接続されたメモリセル列を有し、該メモリセル列を複数のメモリセル群に分割し、分割された各メモリセル群を迂回するようにそれぞれ対応するメモリセル群に並列にスイッチング素子Q1B1 ,Q1B2 を接続し、該スイッチング素子を制御手段SL12, SL22によりオン/オフさせるように構成する。
Claim (excerpt)：
所定の大きさの情報記憶領域の単位毎に複数の書換え可能な不揮発性メモリセルが直列に接続されたメモリセル列を有する不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセル列を複数のメモリセル群に分割し、該分割された各メモリセル群を迂回するようにそれぞれ対応するメモリセル群に並列にスイッチング素子を接続し、該スイッチング素子をオン/オフさせる制御手段を設けたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5)：
H01L 27/115 ,  G11C 16/04 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4)：
H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 623 A ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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