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J-GLOBAL ID：200903014066770024

半導体装置

Inventor： 滝川 修
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998263525
Publication number (International publication number)：2000101100
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 SiCとショットキー電極との反応を抑制してリーク電流の低減をはかる。【解決手段】 SiC1、2と電極との間でショットキー接合が形成された半導体装置において、ショットキー電極4として鉄、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、ロジウム又はこれらの合金を用いる。

Claim (excerpt)：

SiCと電極との間でショットキー接合が形成された半導体装置において、前記電極として鉄、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、ロジウム又はこれらの中から選択された少なくとも2以上の金属の合金を用いることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 D

F-Term (8)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB25 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-156862
  
• SiCへの電極の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-295576   Applicant：新日本無線株式会社
• SiCへの電極の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-295575   Applicant：新日本無線株式会社