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J-GLOBAL ID：200903014066980223

組成物、該組成物を含有してなる化学気相成長用原料及びこれを用いた薄膜の製造方法

Inventor： 関 克英 ,  和田 仙二 ,  芳仲 篤也
Applicant, Patent owner： 旭電化工業株式会社
Agent (1)： 羽鳥 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003150822
Publication number (International publication number)：2004353024
Application date： May. 28, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】タンタル-ニオブ複合酸化物の製造において、タンタル化合物とニオブ化合物とを混合して使用する場合に適した組成物、及び該組成物を用いた薄膜の製造方法を提供すること。【解決手段】下記一般式(I)で表されるタンタル化合物1モル部に対して、下記一般式(II)で表されるニオブ化合物0.01〜1.5モル部を含有してなる組成物。【化1】【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(I)で表されるタンタル化合物1モル部に対して、下記一般式(II)で表されるニオブ化合物0.01〜1.5モル部を含有してなる組成物。

IPC (2)：

C23C16/40 ,  H01L21/316

FI (2)：

C23C16/40 ,  H01L21/316 X

F-Term (13)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-360707   Applicant：株式会社日立製作所
• 多成分金属含有物質の堆積のため液体前駆体混合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-111498   Applicant：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Syntheses and Characterization of Organoimido Complexes of Niobium(V); Potential CVD Precursors
• Syntheses and Characterization of Organoimido Complexes of Niobium(V); Potential CVD Precursors