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J-GLOBAL ID:200903014072712320

電力半導体モジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 朝日奈 宗太 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000053301
Publication number (International publication number):2001245479
Application date: Feb. 29, 2000
Publication date: Sep. 07, 2001
Summary:
【要約】【課題】 交直流交換等に用いられる電力変換回路の電力半導体モジュールにおいて、還流ダイオードの逆回復電流によるエネルギー損失を低減し、定格電圧を高くする。【解決手段】 電力変換回路内において使用される電力半導体モジュールであって、少なくとも1個のスイッチング素子とSiCからなる2個以上のショットキーバリアダイオードが直列に接続された部分を搭載し、前記の直列に接続された少なくとも2個以上のSiCからなるショットキーバリアダイオードを前記スイッチング素子と逆並列に接続した。
Claim (excerpt):
電力変換回路内において使用される電力半導体モジュールであって、少なくとも1個のスイッチング素子とSiCからなる2個以上のショットキーバリアダイオードが直列に接続された部分を搭載し、前記の直列に接続された少なくとも2個以上のSiCからなるショットキーバリアダイオードを前記スイッチング素子と逆並列に接続した電力半導体モジュール。
IPC (4):
H02M 7/48 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 7/5387
FI (3):
H02M 7/48 Z ,  H02M 7/5387 Z ,  H01L 25/04 C
F-Term (12):
5H007AA01 ,  5H007AA03 ,  5H007AA17 ,  5H007CA01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC03 ,  5H007EA02 ,  5H007FA13 ,  5H007FA20 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 炭化けい素ダイオード
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-132479   Applicant:株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-072640   Applicant:株式会社東芝
Cited by examiner (2)

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