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J-GLOBAL ID：200903014072712320

電力半導体モジュール

Inventor：
木ノ内 伸一

About 木ノ内 伸一

, 
武藤 浩隆

About 武藤 浩隆

, 
奥田 達也

About 奥田 達也


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000053301
Publication number (International publication number)：2001245479
Application date： Feb. 29, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：
【要約】【課題】 交直流交換等に用いられる電力変換回路の電力半導体モジュールにおいて、還流ダイオードの逆回復電流によるエネルギー損失を低減し、定格電圧を高くする。【解決手段】 電力変換回路内において使用される電力半導体モジュールであって、少なくとも1個のスイッチング素子とSiCからなる2個以上のショットキーバリアダイオードが直列に接続された部分を搭載し、前記の直列に接続された少なくとも2個以上のSiCからなるショットキーバリアダイオードを前記スイッチング素子と逆並列に接続した。
Claim (excerpt)：
電力変換回路内において使用される電力半導体モジュールであって、少なくとも1個のスイッチング素子とSiCからなる2個以上のショットキーバリアダイオードが直列に接続された部分を搭載し、前記の直列に接続された少なくとも2個以上のSiCからなるショットキーバリアダイオードを前記スイッチング素子と逆並列に接続した電力半導体モジュール。
IPC (4)：
H02M 7/48 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 7/5387
FI (3)：
H02M 7/48 Z ,  H02M 7/5387 Z ,  H01L 25/04 C
F-Term (12)：
5H007AA01 ,  5H007AA03 ,  5H007AA17 ,  5H007CA01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC03 ,  5H007EA02 ,  5H007FA13 ,  5H007FA20 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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