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J-GLOBAL ID:200903014196337896

ガスクラスターの形成方法と薄膜形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西澤 利夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996064861
Publication number (International publication number):1997143700
Application date: Mar. 21, 1996
Publication date: Jun. 03, 1997
Summary:
【要約】【課題】 比較的低温で、高品位で極薄の薄膜を基板損傷無しに高品質で堆積する。【解決手段】 常温常圧で液体状の反応性物質の塊状原子集団または分子集団であるクラスターを形成し、これに電子を浴びせた生成したクラスターイオンを加速電圧によって加速し基板表面に照射し、同時または交互に、単一または複数の堆積膜成分ガスを基板表面に照射し、両者を反応させて基板表面に薄膜を堆積する。
Claim (excerpt):
常温常圧で液体状の物質を加圧気体と混合し、気体としてノズルから噴出させて塊状の原子集団または分子集団であるクラスターを生成させることを特徴とするガスクラスターの形成方法。
IPC (3):
C23C 14/32 ,  B01J 19/08 ,  C30B 25/06
FI (3):
C23C 14/32 G ,  B01J 19/08 F ,  C30B 25/06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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